Описание
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокаций в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокаций в полупроводниках.
В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокаций на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокаций с другими дефектами и примесями.
Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
